Provozní principy tranzistoru

Transistor - zařízení, které běží na polovodičů v elektronice. Je určen pro konverzi a zesílení elektrických signálů. K dispozici jsou dva typy zařízení: bipolární tranzistor a unipolární tranzistor, nebo pole.

V případě, že tranzistor jsou dva typy nosičů náboje pracovat současně - díry a elektrony, se nazývá bipolární. V případě, že tranzistor je pouze jeden typ poplatku, je unipolární.

Představte si, že práce běžnou vodou z kohoutku. Obrátil šroub - průtok vody zvýšit, otočil se na druhou stranu - zpomalit či zastavit tok. Prakticky se jedná o princip činnosti tranzistoru. Jen elektrony místo proudem vody proudící skrze něj. Princip činnosti bipolárního tranzistoru typu se vyznačuje tím, že prostřednictvím tohoto elektronického zařízení jsou dva druhy energie, což je. Dělí se na vysokou, nebo základní a malé, nebo manažera. Přičemž řídicí proud ovlivňuje kapacitu hlavního napájení. Zvážit tranzistor řízený polem. Princip jeho fungování je odlišný od ostatních. Prochází pouze jeden výstupní proud , který závisí na okolním elektromagnetickém poli.

Bipolární tranzistor je vyrobena ze 3 vrstev polovodičů, stejně jako co je nejdůležitější, dvěma PN-křižovatky. Je nutné rozlišovat mezi PNP a NPN přechody, a tedy i tranzistorů. Tyto polovodiče se střídají elektronů a děr vedení.

Bipolární tranzistor má tři terminály. Tento kontakt báze, což ponechává střední vrstvu a dvě elektrody na okrajích - emitor a kolektor. Ve srovnání s těmito dvěma hlavními elektrodami základní vrstva je velmi tenká. Podél okrajů tranzistoru oblasti polovodičových není symetrický. polovodičová vrstva uspořádána na straně kolektoru pro správnou činnost tohoto zařízení je třeba, aby malé, ale je silnější ve srovnání s boční straně vysílače.

principy tranzistorové operace jsou založeny na fyzikálních procesů. Pojďme pracovat s modelem PNP. NPN model bude fungovat podobný kromě polaritě napětí mezi těmito základními prvky jako kolektor a emitor. Bude to v opačném směru.

Substance P-typu obsahuje otvor nebo kladně nabité ionty. N-typ látka skládá ze záporně nabité elektrony. V naší tranzistoru počtem otvorů v regionu F je mnohem větší, než je počet elektronů v N.

Pokud připojíte zdroj napětí mezi těmito částmi, jako emitor a kolektor principů tranzistorových operace jsou založeny na skutečnosti, že otvory jsou přitahovány k pólu a shromažďovat v blízkosti vysílače. Ale současná nejde. Elektrické pole od zdroje napětí nedosáhne kolektoru, protože tlusté polovodičové emitorové vrstvy a základní polovodičové vrstvy.
Pak připojit zdroj napětí s jinou kombinací prvků, a to bází a emitorem. Nyní otvory jsou odeslány do databáze a začne komunikovat s elektrony. Centrální část základny je nasycen s otvory. Výsledkem je dva proudy. Velký - z vysílače do kolektoru, malé - od základny k emitor.

S rostoucím napětím v databázi ve vrstvě N bude ještě víc děr, ke zvýšení základní proud, bude emitor aktuální stránky trochu zvýšit. To znamená, že malá změna v základním proudu vážně dost zesílen emitor aktuální. Výsledkem je nárůst signálu bipolárního tranzistoru.

Brala zřetel na zásady tranzistoru v závislosti na provozním režimu. Rozlišit normální aktivní mód, inverzní aktivního režimu, sytosti režimu mezní.
V aktivním režimu, emitor je otevřené a uzavřené kolektoru spojení. V režimu inverze, všechno se děje právě naopak.